القيم القصوى المطلقة

المعلمة

الرمز

القيمة

الوحدة

نطاق درجة حرارة تخزين الاتصال

Tstg

-40 ~150

℃

نطاق درجة حرارة الاتصال التشغيلي

Tj

-40~125

℃

الجهد المتكرر الذروة خارج الحالة (T =25℃)

V DRM

1400

V

الجهد المتكرر الذروة العكسي (T =25℃)

V RRM

1400

V

الجهد القصوى للذروة غير المتكررة في حالة عدم التوصيل

V DSM

V _DRM +100

V

الجهد العكسي القصوى للذروة غير المتكررة

V RSM

V _RRM +100

V

تيار التشغيل على حالة السكون الفعال

I T(RMS)

1.25

A

تيار الذروة على حالة التوصيل غير المتكررة

(180 0a0 زاوية التوصيل، F=50 هرتز)

I TSM

20

A

I 2 قيمة t للصهر (tp=10 مللي ثانية)

I 2 t

2.0

A 2 S

معدل الارتفاع الحرج لتيار الحالة الساكنة

(I =2 imes IGT , tr g 100 نانو ثانية )

d i /dt

5 0

A/ S

Peak gate current

I GM

1.0

A

Average gate power dissipation

P G(AV)

0.1

W

الحد الأقصى d درجة حرارة الجهاز لغرض

أغراض التلحيم ( لمدة 10 ثواني الحد الأقصى )

T _L

260

℃

مستوى ESD

HBM

الصف 3 (4000-16000V)

مستوى الحساسية للرطوبة

MSL

ثلاث مستويات

(30 ℃ ,60%RH,168h)

المقاومات الحرارية

الرمز

المعلمة

القيمة

الوحدة

Rth(j-a)

الانتقال إلى البيئة (التيار المستمر)

60

℃/واط

المقاومة الحرارية (ج-ت)

الاتصال إلى الشريحة (تيار مستمر)

25

الخصائص الكهربائية (T=25℃ ما لم يُحدد خلاف ذلك)

الرمز

شرط الاختبار

القيمة

الوحدة

الحد الأدنى

النموذجي

الحد الأقصى .

I جي تي

V =12V R =140Ω

20

50

100

µ A

V جي تي

-

0.8

1.0

V

V جي دي

V _دي =V _DRM Tj=125℃ R=1KΩ

0.2

V

I _L

I _G =1.2I _{جي تي}

-

-

6

mA

I _H

IT=50mA

-

-

5

mA

dV/dt

VD=600V ,RGK=1KΩ, Tj=110℃

100

-

-

V/μs

الخصائص الثابتة

الرمز

المعلمة

القيمة( الحد الأقصى . )

الوحدة

V TM

ITM =2.5A tp=380μs

Tj =25℃

1. 5

V

I DRM

V دي =V DRM V R =V RRM

Tj =25℃

5

μA

I RRM

Tj =125℃

0.5

mA