المعلمة

الرمز

القيمة

الوحدة

جهد المجمع-القاعدة

VCBO

20

V

جهد المجمع-الباعث

VCEO

11

V

جهد الباعث-القاعدة

VEBO

3

V

تيار المجمع

IC

50

mA

تبديد قدرة المجمع

PC

0.2

واط

درجة حرارة الوصلة

Tj

150

°C

درجة حرارة التخزين

Tstg

-55~+150

°C

المعلمة

الرمز

الحد الأدنى

نموذجي

الحد الأقصى

الوحدة

الظروف

جهد انهيار المجمع-القاعدة

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

جهد انهيار المجمع-الباعث

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

جهد انهيار الباعث-القاعدة

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

تيار قطع المجمع

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

تيار قطع الباعث

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

جهد تشبّع المجمّع-الباعث

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

نسبة نقل التيار المستمر

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

تردد الانتقال

fT

1.4

3.2

-

غيغاهرتز

VCE=10V, IE=-10mA، f=500MHz

سعة الخرج

Cob

-

0.8

1.5

بيكوفاراد

VCB=10V, IE=0A، f=1MHz

ثابت الزمن بين المجمع والقاعدة

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10mA، f=31.8MHz

عامل الضوضاء

NF

-

3.5

-

ديسيبل

VCE=6V، IC=2mA، f=500MHz، Rg=50واط