YZPST-T171-320-10
الميزات:
\u25cf تكوين بوابة تضخيم المركز
\u25cf u0627u0644u062Au063Au0644u064Au0641 u0627u0644u0645u0636u063Au0637 u0628u0627u0644u062Au063Au0644u064Au0641
• قدرة عالية على dV/dt
• نوع الدبوس، بوصة موضوع أو متري
تطبيق
• التبديل بقوة متوسطة
• مزودات الطاقة المستمرة
|
الرمز |
المعلمة |
القيم |
وحدات |
شروط الاختبار |
|
|
ON-STATE |
|
|
|
||
|
ITAV |
المتوسط الحالي في حالة التشغيل |
320 |
A |
Sinewave,180° conduction,Tc=84oC |
|
|
ITRMS |
القيمة الفعالة لتيار الحالة التشغيلية |
502 |
A |
القيمة الاسمية |
|
|
ITSM |
ذروة واحدة دورة زيادة
(غير متكرر) الحالي
|
7 |
kA |
10.0 مللي ثانية (50 هرتز)، موجة سينوسية-
الشكل، توصيل 180 درجة، Tj = 125 درجة مئوية
|
|
|
I2t |
أنا مربعة t |
240 |
KA2s |
8.3 مللي ثانية و 10.0 مللي ثانية |
|
|
IL |
التيار الاحتجازي |
700 |
mA |
VD = 24 V؛ RL= 12 أوم |
|
|
IH |
الحالي الذي يتم عقده |
300 |
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
|
VTM |
الذروة على الجهد الحالي |
1.6 |
V |
ITM = 1005 A |
|
|
di/dt |
معدل الارتفاع الحرج
of on-state current
|
non-repetitive |
1000 |
A/ms |
تشغيل البوابة 20 فولت، 20 أوم، tr≤1 ميكروثانية، Tj=Tjmax، جهد الأنود ≥80% VDRM |
|
متكرر |
- |
||||
|
الحظر |
|
|
|
||
|
VDRM
VRRM
|
الجهد القصوى المتكرر في حالة الإيقاف
الجهد العكسي القصوى المتكرر
|
1000 |
V |
|
|
|
VDSM
VRSM
|
الجهد القصوى غير المتكرر في حالة الإيقاف
الجهد العكسي القصوى غير التكراري
|
1100 |
V |
|
|
|
IDRM
IRRM
|
التيار القصوى المتكرر في حالة الإيقاف التيار العكسي القصوى المتكرر |
70 |
mA |
Tj = 100 درجة مئوية ، VRRM VDRM تطبق |
|
|
dV/dt |
معدل الارتفاع الحرج للجهد |
500 |
V/ms |
TJ=TJmax، خطي إلى 80٪ من VDRM المقدر |
|
|
TRIGGEING |
|
|
|
||
|
PG(AV) |
القدرة المتوسطة على تبديد الطاقة للبوابة |
3 |
W |
|
|
|
PGM |
استهلاك الطاقة القصوى للبوابة |
- |
W |
|
|
|
IGM |
التيار القمة للبوابة |
6 |
A |
|
|
|
IGT |
تيار تشغيل البوابة |
250 |
mA |
TC = 25 oC |
|
|
VGT |
جهد تشغيل البوابة |
2.5 |
V |
TC = 25 oC |
|
|
VGD |
الجهد غير المؤثر على البوابة |
0.6 |
V |
Tj = 125 oC |
|
|
VT0 |
|
1.006 |
V |
Tj = 125 oC |
|
|
rT |
|
0612 |
مΩ |
|
|
|
التبديل |
|
|
|
||
|
tq |
وقت الإيقاف |
125 |
مللي ثانية |
ITM=320A، TJ=TJmax، di/dt=10A/
μs،
VR=100V، dv/dt=50V/μs، Gate 0V 100Ω، tp=500μs
|
|
|
td |
وقت التأخير |
- |
تيار البوابة A، di/dt=40A/ميكروثانية،
Vd=0.67%VDRM، TJ=25 oC
|
||
الحرارية والميكانيكية
|
الرمز |
المعلمة |
القيم |
وحدات |
شروط الاختبار |
|
Tj |
درجة حرارة التشغيل |
-40~125 |
oC |
|
|
Tstg |
درجة حرارة التخزين |
-40~125 |
oC |
|
|
R th (j-c) |
المقاومة الحرارية - من الجانب إلى العلبة |
0.085 |
oC/W |
عملية التيار المستمر ، تبريد من جهة واحدة |
|
R th (c-s) |
المقاومة الحرارية - الحالة إلى السنك |
- |
oC/W |
مبرد من جهة واحدة |
|
P |
قوة التركيب |
- |
Nm |
± 10 % |
|
W |
الوزن |
440 |
ج |
حول |
-
الخطة
يمكن لشركة YZPST توفير قائمة مكافئة التالية من تيريستورات التحكم في المرحلة (نوع الدبوس)
| النوع | IT(AV) | VTM/ITM | VDRM VRRM | IDRM IRRM | IGT | VGT | dv/dt | Tjm | F | |
| A | V/A | V | mA | mA | V | V/gs | °C | |||
| KP5 | 5 | 2.2 | 15 | 300-1600 | 100 | 2.0 | 125 | |||
| KP20 | 20 | 2.2 | 60 | 300-1600 | 10 | 100 | 2.0 | 125 | 10Nm | |
| KP50 | 50 | 2.2 | 150 | 300-1600 | 15 | 100 | 2.0 | 500 | 125 | 16Nm |
| KPI 00 | 100 | 2.8 | 300 | 100-2200 | 20 | 200 | 2.5 | 500 | 125 | 33Nm |
| KP200 | 200 | 2.8 | 600 | 100-2200 | 25 | 200 | 2.5 | 500 | 125 | 4KN |
| KP300 | 300 | 2.8 | 900 | 100-2200 | 30 | 200 | 2.5 | 500 | 125 | 7KN |
| KP500 | 500 | 3.0 | 1500 | 100-2200 | 45 | 300 | 3.0 | 500 | 125 | 10KN |
