YZPST-75HF120TK-G1

YZPST-75HF120TK-G1

وحدة IGBT بتيار 75A وجهد 1200V

الميزات
قدرة عالية على تحمل قصر الدائرة، وتيار قصر محدود ذاتيًا

قدرة عالية على تحمل قصر الدائرة، وتيار قصر محدود ذاتيًا

شريحة IGBT (تقنية Trench + Field Stop)

VcE(sat) مع معامل درجة حرارة موجب

تبديل سريع وتيار ذيل قصير، مع خسائر تبديل منخفضة

ثنائيات freewheeling مع استعادة عكسية سريعة وناعمة

مزوّد بحساس لقياس الحرارة

التطبيقات

تطبيقات التبديل عالية التردد

محولات اللحام

التحكم في الحركة/المؤازرة

أنظمة UPS

أنظمة UPS

الحد الأقصى المطلق القيَم TC=25°C ما لم يُذكر خلاف ذلك محدد

الرمز	المعلمة	ظروف الاختبار	القيم	الوحدة
IGBT
VCES	جهد المجمع - الباعث	TVj=25°C	1250	V
VGES	جهد البوابة - الباعث		±30	V
IC	تيار المجمع المستمر	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	تيار المجمع القِمّي المتكرر	tp=1ms	150	A
Pالإجمالي	قدرة التبديد لكل IGBT		500	واط
ديود
VRRM	الجهد العكسي المتكرر	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	متوسط تيار التوصيل الأمامي	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	تيار التوصيل الأمامي القِمّي المتكرر	tp=1ms	150	A
I2t		TVj=125°C، t=10ms, VR=0V	2810	A2s

خصائص الوحدة

الرمز	المعلمة	ظروف الاختبار	الحد الأدنى	النوعي	الحد الأقصى	الوحدة
TVj max	أقصى درجة حرارة للوصلة				150	°C
TVj op	درجة حرارة التشغيل		-40		150	°C
Tstg	درجة حرارة التخزين		-40		125	°C
Vعزل	جهد اختبار العزل	تيار متردد، t=1 دقيقة		3000		V
عزم الشد	إلى المبدد الحراري	موصى به M6	3		5	نيوتن·متر
عزم الشد	إلى الطرف	مسمار M5 الموصى به	2.5		5	نيوتن·متر
الوزن				176		g

مخطط الأبعاد للحزمة

لمزيد من المعلومات حولYZPST-75HF120TK-G1الرجاء تنزيل ملف PDF أعلاه باسم "YZPST-75HF120TK-G1"