المنتجات

YZPST-SKM195GB066D

IGBT وحدة الطاقة النوع: YZPST-SKM195GB066D

 

التطبيقات

 محول لتشغيل المحرك

 مضخم تيار متردد وتيار مستمر

 مزودات الطاقة غير المنقطعة (UPS)

 آلة لحام التبديل الناعم

الميزات

 Vce(sat) منخفض بتقنية Trench Field-stop

 Vce(sat) مع معامل درجة الحرارة إيجابي

 شاملة للتعافي السريع والناعم للتوازي FWD

 قدرة عالية على القصر الدائري (10us)

 هيكل وحدة منخفض الاندكتانس

 درجة حرارة الانضمام القصوى 175℃

البريد الإلكتروني: info@yzpst.net

هاتف: 8613805278321

واتساب: 8613805278321

الوصف1
إغلاق بسحاب بلوفرات رياضية بسحاب 1/5 للرجال. نسيج مطاطي خفيف الوزن وسريع الجفاف لأداء متفوق. مقاس عادي - مقاسات قياسية أمريكية. مقاس رياضي يجلس بشكل مقرب إلى الجسم لمجموعة واسعة من الحركة، مصمم لتحقيق الأداء الأمثل والراحة طوال اليوم. الميزات - إغلاق بسحاب ربعي؛ فتحات الإبهام على الأكمام الطويلة للحفاظ عليها في مكانها أثناء التمرين
مقدمة المنتج

وحدة طاقة IGBT النوع: YZPST-SKM195GB066D

التطبيقات

محول لتشغيل المحرك

مضخم تشغيل محرك التيار المتردد والتيار المستمر

مزودات الطاقة غير المنقطعة (UPS)

آلة لحام التبديل الناعم

الميزات

Vce(sat) منخفض مع تقنية Trench Field-stop

Vce(sat) مع معامل درجة الحرارة الإيجابي

بما في ذلك FWD مضاد للتوازن السريع والناعم

القدرة العالية على التيار القصر (10 ميكروثانية)

هيكل الوحدة منخفض الاندكتانس

أقصى درجة حرارة للاتصال 175 ℃

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

Value

وحدة

جهد المجمع-المصعد

VCES

VGE=0V، IC=1mA، Tvj=25℃

650

V

تيار المجمع المستمر

IC

Tc=100℃

200

أ

تيار جمع الذروة

ICRM

tp=1ms

400

أ

الجهد بوابة-مصد emitter

VGES

Tvj=25℃

±20

V

إجمالي تبديد الطاقة

(IGBT-محول)

Ptot

Tc=25℃

Tvjmax=175℃

695

W

خصائص IGBT

Parameter Value وحدة
Symbol Conditions الحد الأدنى النوع الحد الأقصى
الجهد الحدودي بوابة-مشع VGE(th) VGE=VCE، IC=3.2mA، Tvj=25℃ 5.1 5.8 6.3 V
VCE=650V، VGE=0V، Tvj=25℃ 1 مللي أمبير
تيار القطع جامع-مشع ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃ 5 مللي أمبير
جمع-مصدر Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃ 1.45 1.95 V
الجهد المشبع VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃ 1.65 V
سعة الإدخال Cies VCE=25V,VGE=0V, 12.3 nF
سعة الانتقال العكسي Cres f=1MHz, Tvj=25℃ 0.37 nF
المقاومة الداخلية للبوابة Rgint 1 Ω
وقت تأخير التشغيل td(on) 48 نانوثانية
زمن الارتفاع tr IC =200 A 48 نانوثانية
وقت التأخير في إيقاف التشغيل تي دي (إيقاف) VCE = 300 V 348 نانوثانية
وقت الهبوط tf VGE = ±15V 58 نانوثانية
تفريغ الطاقة أثناء وقت التشغيل Eon RG = 3.6Ω 2.32 mJ
تفريغ الطاقة أثناء وقت الإيقاف Eoff Tvj=25℃ 5.85 mJ
وقت تأخير التشغيل td(on) 48 نانوثانية
زمن الارتفاع tr IC =200 A 48 نانوثانية
وقت التأخير أثناء الإيقاف تي دي (إيقاف) VCE = 300V 364 نانوثانية
وقت الهبوط tf VGE = ±15V 102 نانوثانية
تفريغ الطاقة أثناء وقت التشغيل Eon RG = 3.6Ω 3.08 mJ
تفريغ الطاقة أثناء وقت الإيقاف Eoff Tvj = 125℃ 7.92 mJ
SC Data Isc Tp ≥ 10μs, VGE = 15V, Tvj = 150℃ , Vcc = 300V, VCEM ≥ 650V 1000 أ

خصائص الدايود

Parameter Value وحدة
Symbol Conditions الحد الأدنى النوع الحد الأقصى
تيار تشغيل مستمر للدايود إذا Tc=100℃ 200 أ
تيار الذروة المباشر للدايود IFRM 400 أ
IF=200A، Tvj=25℃ 1.55 1.95 V
الجهد المباشر VF IF=200A، Tvj=125℃ 1.5 V
Parameter Value وحدة
Symbol Conditions الحد الأدنى النوع الحد الأقصى
الشحنة المستعادة Qrr 8.05 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 148 أ
Reverse Recovery Energy إريك Tvj=25℃ 1.94 mJ
الشحنة المستعادة Qrr 16.9 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 186 أ
Reverse Recovery Energy إريك Tvj = 125℃ 3.75 mJ

خصائص الوحدة TC=25°C ما لم يُحدد خلاف ذلك

Parameter Symbol Conditions Value وحدة
الحد الأدنى النوع الحد الأقصى
الجهد المعزول Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
أقصى درجة حرارة تقاطع Tjmax 150
درجة حرارة تشغيل تقاطع Tvj op -40 125
درجة حرارة التخزين Tstg -40 125
بالنسبة لمحول IGBT 0.19 كيلو واط / كلفن
الاتصال إلى العلبة R heta jc لكل محول ديود 0.31 كيلو واط / كلفن
العلبة إلى الحوض R heta cs تم تطبيق الشحم الموصل 0.085 كيلو واط / كلفن
الكترونات الوحدة النهائية متر الموصى به (M5) 2.5 5 نيوتن متر
الوحدة النهائية إلى الحوض عزم الدوران ملي ثانية الموصى به (M6) 3 5 نيوتن متر
وزن الوحدة G 150 g

حزمة الأبعاد

u200b

لمزيد من المعلومات حول YZPST-SKM195GB066D يرجى تحميل ملف PDF أعلاه المسمى بـ" YZPST-SKM195GB066D-R090 "

اتصل بنا