YZPST-75HF120TK-G1

75A 1200V وحدة IGBT

الميزات
قدرة عالية على القصر الكهربائي، تيار قصر ذاتي المحدودة

قدرة عالية على القصر الكهربائي، تيار قصر ذاتي المحدودة

رقاقة IGBT (تقنية الخندق + تقنية Field Stop)

VcE(sat) مع معامل حراري إيجابي

تبديل سريع وتيار ذيل قصير، خسائر تبديل منخفضة

ثنائيات الواي الحرة ذات استرداد سريع وناعم

شمل الاحساس بالحرارة

التطبيقات

تطبيقات التحويل عالية التردد

محولات اللحام

التحكم في الحركة / الخدمة

أنظمة UPS

أنظمة UPS

الحد الأقصى المطلق التصنيفات T C =25°C إلا إذا محدد

رمز	معلمة	شروط الاختبار	القيم	وحدة
IGBT
V CES	الجماعي - الجهد المشترك	T Vj =25°C	1250	V
V GES	بوابة - الجهد المشترك		±30	V
I C	تيار المجمع التيار المستمر	T C =25°C	115	أ
		T C =80°C	75	أ
I سم	التكرار الذروي لتيار المجمع	ت ب =1مللي ثانية	150	أ
ب كليا	تبديد الطاقة لكل IGBT		500	واط
ثنائي
V RRM	الجهد العكسي المتكرر	T Vj =25°C	1250	V
I F(AV)	التيار المتوسط الأمامي	T C =25°C	115	أ
		T C =80°C	75	أ
I FRM	التيار المتكرر الأمامي الذروي	ت ب =1مللي ثانية	150	أ
I 2 ت		T Vj =125°C, t=10ms, V R =0V	2810	أ 2 s

خصائص الوحدة

رمز	معلمة	شروط الاختبار	الحد الأدنى	النوع	الحد الأقصى	وحدة
T الجهد الكهربائي الأقصى	درجة حرارة التقاطع القصوى				150	°C
T الجهد الكهربائي التشغيلي	درجة حرارة التشغيل		-40		150	°C
T تخزين	درجة حرارة التخزين		-40		125	°C
V isol	جهد اختبار العزل	تيار متردد، t=1 دقيقة		3000		V
عزم الدوران	إلى الحوض	M6 الموصى بها	3		5	N·m
عزم الدوران	إلى المحطة	M5 الموصى بها	2.5		5	N·m
الوزن				176		غ

مخطط الحزمة

لمزيد من المعلومات حول YZPST-75HF120TK-G1 يرجى تحميل ملف PDF أعلاه المسمى "YZPST-75HF120TK-G1"