YZPST-RGN100C066

✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات

البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net

نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.

مركز المستندات

P/N:YZPST-RGN100C066

ترانزستور FET Super-GaN بجهد 100V

100V، 230A، 3.2mΩ، ترانزستور FET Super-GaN في WLCSP 3.5x2. 13

الميزات

تقنية HEMT بوضع E المصنَّعة من GaN على السيليكون

شحنة بوابة منخفضة جدًا

مقاومة تشغيل منخفضة للغاية

حجم تغليف صغير جدًا

شحنة استرداد عكسي صفرية

التطبيقات

التقويم المتزامن

صوت من الفئة D

محول تيار مستمر-تيار مستمر عالي التردد

محطة قاعدة اتصالات

مشغل محرك

الطرف معلومات

مؤشرات الأداء الرئيسية عند Tj = 25 °C

المعلمة	القيمة	الوحدة
VDS،الحد الأقصى	100	V
RDS(on)،الحد الأقصى عند VGS = 5 فولت	3.2	ملي أوم
QG،نموذجي عند VDS = 50 فولت	9.2	nC
IDS،نبضي	230	A
QOSS عند VDS = 50 فولت	50	nC

الحد الأقصى القيَم الاسمية عند Tj = 25 °م ما لم يُذكر خلاف ذلك.

الخصائص الحرارية

الرمز	المعلمة	نموذجي	الوحدة
RθJC	المقاومة الحرارية، الوصلة إلى الغلاف	0.3	°م/واط
RθJB	المقاومة الحرارية، الوصلة إلى اللوحة	1.5	°م/واط
RθJA	المقاومة الحرارية، الوصلة إلى الوسط المحيط 1	33	°م/واط

كهربائية التوصيل العكسي عند Tj = 25 °م ما لم يُذكر خلاف ذلك.الخصائص الساكنة

الرمز	المعلمة	الحد الأدنى	نموذجي	MAX	الوحدة	شروط الاختبار
BVDSS	جهد المصرف إلى المصدر	100	-	-	V	VGS = 0 فولت، ID = 400 ميكروأمبير
IDSS	تسرب المصرف إلى المصدر	-	4	28	µA	VGS = 0 فولت، VDS = 80 فولت
IGSS	تسرب أمامي من البوابة إلى المصدر (25°م)	-	1.2	23	µA	VGS = 5 فولت
	تسرب أمامي من البوابة إلى المصدر (125°م)		0.1	2	mA	VGS = 5 فولت
	تسرب عكسي من البوابة إلى المصدر	-	0.1	0.5	µA	VGS = -4 فولت
VGS(TH)	جهد عتبة البوابة	0.8	1.1	2.5	V	VDS = VGS، ID = 9 mA
RDS(on)	مقاومة حالة التشغيل من المصرف إلى المصدر	-	2.5	3.2	ملي أوم	VGS = 5 فولت، ID = 25 A
VSD	جهد التوصيل من المصدر إلى المصرف	-	1.5	-	V	IS = 0.5 A، VGS = 0 فولت

الخصائص الديناميكية