.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
YZPST-KP1000A6500V
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
قوة عالية THYRISTO لتطبيقات التحكم في المرحلة
الميزات:
. جميع الهياكل المنتشرة
. تكوين بوابة التضخيم المركزي
. الحد الأقصى المضمون لوقت الإيقاف
. قدرة عالية dV/dt
. جهاز مجمع الضغط
الرقم التعريفي: YZPST-KP1000A/6500V
ثايرستور عالي القدرة R ل المرحلة التحكم التطبيقات
الميزات:
. الكل الهيكل المنتشر re
. تكبير مركزي Ga تكوين الشاشة
. مضمون الحد الأقصى لوقت الإيقاف
. dV/dt عالي القدرة
. تجميع الضغط ديفي سي
حجب - الحالة الخارجية
|
VRRM ( 01) |
V DRM ( 01) |
VRSM ( 01) |
|
6500 |
6500 |
6600 |
VRRM = الجهد المتكرر القصوى في الاتجاه المعاكس
VDRM = الجهد المتكرر القصوى في حالة الإيقاف
VRSM = الجهد القصوى في الاتجاه المعاكس غير المتكرر (2)
ملاحظات:
تم تحديد جميع التقييمات لـ Tj=25 oC ما لم يذكر خلاف ذلك
وإلا فإن جميع تصنيفات الجهد محددة لتطبيق موجة جيبية بتردد 50/60 هرتز على مدى درجة الحرارة -40 إلى +125 oC
(1) جميع تصنيفات الجهد محددة لتطبيق موجة جيبية بتردد 50/60 هرتز على مدى درجة الحرارة -40 إلى +125 oC
(2) 10 مللي ثانية كحد أقصى عرض نبضة
(3) القيمة القصوى لـ Tj = 125 oC
(4) القيمة الدنيا لشكل موجة خطية وأسية حتى 80% من الجهد المقنن. البوابة مفتوحة
Tj = 125 oC
الحد الأقصى لقيمة Tj = 125 oC
Tj = 125 oC
(5) قيمة غير متكررة.
(6) تم تحديد قيمة di/dt في
وفقًا للمعيار EIA/NIMA RS-397، القسم 5-2-2-6. سيكون القيمة المحددة بالإضافة إلى تلك التي تم الحصول عليها من دائرة تخفيف الضغط، التي تتألف من مكثف بسعة 0.2 μF ومقاومة 20 أومًا موازية مع الثايرستور
تحت الاختبار.
|
تسرب العكسي الذروي المتكرر والحالة الخاملة |
IRRM / IDRM |
40 مللي أمبير 200 مللي أمبير (3) |
|
معدل الجهد الحرج للارتفاع |
dV/dt (4) |
1000 فولت/مايكروثانية |
القيام بـ - على الحالة
| المعلمة | رمز | الحد الأدنى . | الحد الأقصى . | نموذجي . | وحدات | الشروط |
| القيمة القصوى. القيمة المتوسطة للحالة الحالي | أنا T ( AV ) | 1000 | A | Sinewave , 180 o التوصيل T ج =70 o ج | ||
| قيمة RMS للحالة التشغيلية الحالي | أنا TRMS | 1650 | A | القيمة الاسمية | ||
| ذروة واحدة ارتفاع مفاجئ للتيار | أنا TSM | 18 | kA | 10.0 msec (50 Hz ), sinusoidal wave - shape , 180 o التوصيل , T j = 125 o ج | ||
| (غير متكرر) الحالي | ||||||
| أنا مربع تي | أنا 2 تي | 1620 | kA 2 s | |||
| التيار اللازم للحفاظ على التشغيل | أنا L | 1500 | مللي أمبير | V D = 24 V; R L = 12 ohms | ||
| Holding current | أنا H | 500 | مللي أمبير | V D = 24 V; أنا = 2.5 أمبير | ||
| الجهد القصوى عند التوصيل | V TM | 2.65 | V | أنا TM = 1000A; T vj = 125 ℃ | ||
| الجهد المنخفض | V To | 1.24 | V | T vj = 125 ℃ | ||
| الميل المقاومة | r T | 1.01 | م Ω | T vj = 125 ℃ | ||
| الحرج معدل الارتفاع من على-ق تات الحالي (5, 6) | دي / دت | 500 | A/cs | التبديل من V DRM < 1500 V, | ||
| غير متكرر | ||||||
| الحرج معدل الارتفاع من على-ق تات الحالي (6) | دي / دت | - | A/cs | التبديل من V DRM < 3500 V |
التحكم
|
المعلمة |
رمز |
الحد الأدنى . |
الحد الأقصى . |
نموذجي . |
وحدات |
الشروط |
|
قمة تبديد الطاقة عبر البوابة |
PGM |
|
50 |
|
واط |
tp = 40 us |
|
متوسط تبديد الطاقة عبر البوابة تبديد |
PG(AV) |
|
10 |
|
واط |
|
|
تيار البوابة الذروة |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
تيار البوابة المطلوب تشغيل جميع الوحدات |
IGT |
|
400 |
|
مللي أمبير مللي أمبير مللي أمبير |
VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = -40 oC VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = +25 oC VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = +125oC |
|
الجهد البوابي المطلوب تشغيل جميع الوحدات |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = -40 oC VD = 6 V; RL = 3 ohms; Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = +125 oC |
|
الجهد السالب الذروي |
VGRM |
|
10 |
|
V |
ديناميكي
|
المعلمة |
رمز |
الحد الأدنى . |
الحد الأقصى . |
نموذجي . |
وحدات |
الشروط |
|
وقت التأخير |
td |
|
- |
|
مايكروثانية |
ITM = 1000 A; VD = تصنيف VDRM بوابة النبض: VG = 20 V؛ RG = 20 أوم؛ tr = 0.01 ميكروثانية؛ tp = 20 ميكروثانية |
|
وقت الإيقاف مع VR = -50 V |
tq |
|
700 |
|
مايكروثانية |
ITM = 1000 A; di/dt = 1A/ميكروثانية؛ VR > 200 V؛ إعادة تطبيق dV/dt = 20 V/ميكروثانية خطي إلى 67٪ VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01% |
|
شحنة الانتعاش العكسي |
Qrr |
|
- |
|
μAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
مخطط الحالة والأبعاد.
المنتجات ذات الصلة
