.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA26-800B ترياك 800V من علامة YZPST التجارية، TO-3PA، BTA26-800B
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
التنزيلات والملفات الفنية
ثايرستورات ثنائية الاتجاه من سلسلة BTA26/BTB26 بتيار 26 أمبير
ثايرستور BTA26-800B TO-3PA من علامة YZPST التجارية بجهد 800 فولت
الوصف:
بقدرة عالية على تحمّل صدمات الأحمال ذات التيار الكبير، توفّر ثايرستورات سلسلة BTA26/BTB26 معدل dv/dt مرتفعًا مع مقاومة قوية للتداخل الكهرومغناطيسي. وبفضل أداء التبديل العالي، يوصى بمنتجات الأرباع الثلاثة خصوصًا للاستخدام مع الأحمال الحثية. ومن خلال العزل من جميع الأطراف الثلاثة إلى المشتت الحراري الخارجي، توفر BTA26 جهد عزل مقننًا يبلغ 2500 VRMS وفقًا لمعايير UL
الميزات الرئيسية:
الرمز | القيمة | الوحدة |
IT(RMS) | 26 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
القيم القصوى المطلقة:
المعلمة | الرمز | القيمة | الوحدة |
نطاق درجة حرارة الوصلة للتخزين | Tstg | -40~150 | ℃ |
نطاق درجة حرارة وصلة التشغيل | Tj | -40~125 | ℃ |
جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
جهد الذروة العكسي المتكرر (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
تيار الحالة الموصلة RMS | IT(RMS) | 26 | A |
تيار الذروة غير المتكرر في حالة التوصيل أثناء الصدمة (دورة كاملة، F=50Hz) |
ITSM |
260 |
A |
قيمة I²t للانصهار (tp=10ms) | I2t | 350 | A²s |
معدل الارتفاع الحرج لتيار حالة التوصيل (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
تيار البوابة الأقصى | IGM | 4 | A |
قدرة تبديد البوابة المتوسطة | PG(AV) | 1 | واط |
قدرة الذروة للبوابة | PGM | 10 | واط |
الخصائص الكهربائية (Tj=25℃ ما لم يُذكر خلاف ذلك)
ثلاثة أرباع：
| المعلمة | القيمة | |||||
| ظروف الاختبار | الربع | CW | BW | الوحدة | ||
| IGT | VD=12V, | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | الحد الأدنى | 0.2 | V | |
| Iع | IT=100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ بوابة مفتوحة | ||||||
| dV/dt | الحد الأدنى | 1000 | 1500 | V/ µs | ||
أربعة أرباع：
| المعلمة | القيمة | |||||
| ظروف الاختبار | الربع | C | B | الوحدة | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | الكل | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | الكل | الحد الأدنى | 0.2 | V | |
| Iع | IT=100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ بوابة مفتوحة | ||||||
| dV/dt | الحد الأدنى | 200 | 500 | V/ µs | ||
الخصائص الساكنة
| الرمز | ظروف الاختبار | القيمة | الوحدة | ||
| VTM | ITM=35A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 10 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 3 | mA |
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
