YZPST-S2035 20A SCR

الرمز

القيمة

الوحدة

I_T(RMS)

31

A

V_DRMV_RRM

1200

V

I_GT

35

mA

المعلمة

الرمز

القيمة

الوحدة

نطاق درجة حرارة الوصلة للتخزين

Tstg

-40 ~150

℃

مدى درجة حرارة الوصلة أثناء التشغيل

Tj

-40~125

℃

الجهد الأقصى المتكرر في حالة الإيقاف (T =25℃)

V_DRM

1200

V

الجهد العكسي الأقصى المتكرر (T =25℃)

V_RRM

1200

V

جهد الإيقاف الأقصى غير المتكرر عند الاندفاع

V_DSM

V_DRM+100

V

الجهد العكسي الأقصى غير المتكرر

V_RSM

V_RRM+100

V

تيار الحالة الموصلة RMS (T =100℃)

I_T(RMS)

31

A

تيار الذروة العابر غير المتكرر في حالة التوصيل

I_TSM

300

A

متوسط تيار الحالة الموصلة (زاوية توصيل 180°)

I_T(AV)

20

A

I²قيمة t للانصهار (tp=10ms)

I²t

450

A²S

المعدل الحرج لارتفاع تيار الحالة الموصلة

(I =2×IGT, tr≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/ميكروثانية

تيار البوابة الأقصى

I_GM

4

A

تبديد القدرة المتوسطة للبوابة

P_G(AV)

1

واط

الرمز

ظروف الاختبار

القيمة

الوحدة

I_GT

V =12V R =140Ω

الحد الأقصى

35

mA

V_GT

الحد الأقصى

1.3

V

V_GD

V_D=V_DRMTj=125℃ R=1KΩ

الحد الأدنى

0.2

V

I_L

I_G=1.2I_GT

الحد الأقصى

75

mA

I_ع

IT=50mA

الحد الأقصى

50

mA

dV/dt

V_D=2/3V_DRMبوابة مفتوحة Tj=125℃

الحد الأدنى

500

V/μs

الرمز

المعلمة

القيمة (الحد الأقصى)

الوحدة

V_TM

I_TM =40A tp=380μs

Tj =25℃

1.65

V

I_DRM

V_D=V_DRMV_R=V_RRM

Tj =25℃

20

ميكروأمبير

I_RRM

Tj =125℃

4

mA

الرمز

المعلمة

القيمة (الحد الأقصى)

الوحدة

Rth(j-a)

الوصلة إلى الوسط المحيط (DC)

60

℃/W

Rth(j-c)

من الوصلة إلى العلبة (DC)

1.0