الرمز

القيمة

وحدة

أنا _T(RMS)

31

A

V _DRM V _RRM

1200

V

أنا _GT

35

m A

المعلمة

الرمز

القيمة

وحدة

نطاق درجة حرارة التخزين في الاتصال

Tstg

-40 ~150

℃

نطاق درجة حرارة التشغيل في الاتصال

Tj

-40~125

℃

الجهد المتكرر الذروي في حالة الإيقاف (T =25℃)

V _DRM

1200

V

الجهد العكسي الذروي المتكرر (T =25℃)

V _{R RM}

1200

V

الجهد الذروي غير المتكرر للانقطاع عن الحالة الساكنة

V _DSM

V _DRM +100

V

الجهد العكسي الذروي غير المتكرر

V _{R SM}

V _{R RM} +100

V

تيار RMS في الحالة الموصلة (T = 100 ℃)

أنا _T(RMS)

31

A

تيار ذروة متكرر غير متكرر في الحالة الموصلة

أنا _TSM

300

A

تيار متوسط في الحالة الموصلة (زاوية توصيل 180°)

أنا _T(AV)

20

A

أنا ² قيمة t للصهر (tp=10ms)

أنا ² تي

450

A ² S

معدل الارتفاع الحرج لتيار الحالة السالبة

(I =2×IGT , tr ≤ 100 نانوثانية )

dI/dt

5 0

A/ S

Peak gate current

أنا _GM

4

A

Average gate power dissipation

P _G(AV)

1

W

الرمز

شرط الاختبار

القيمة

وحدة

أنا _GT

V =12V R =140Ω

الحد الأقصى

35

m A

V _GT

الحد الأقصى

1.3

V

V _GD

V _D =V _DRM Tj=125℃ R=1KΩ

الحد الأدنى

0. 2

V

أنا _L

أنا _G =1.2I _GT

الحد الأقصى

75

mA

أنا _H

IT=50mA

الحد الأقصى

50

mA

dV/dt

V _D =2/3V _DRM فتح البوابة Tj=125℃

الحد الأدنى

500

V/μs

الرمز

المعلمة

القيمة (الحد الأقصى)

وحدة

V _TM

أنا _TM = 40 A tp=380μs

Tj =25℃

1.65

V

أنا _DRM

V _D =V _DRM V _R =V _RRM

Tj =25℃

20

μA

أنا _RRM

Tj =125℃

4

mA

الرمز

المعلمة

القيمة (الحد الأقصى)

وحدة

Rth(j-a)

الانتقال إلى المحيط (التيار المستمر)

60

℃/W

Rth(j- ج )

تقاطع إلى الحالة (التيار المستمر)

1.0