الرمز

القيمة

الوحدة

IT(RMS)

2

A

VDRM/فولتRRM

800

V

V_TM

≤1.5

V

المعلمة

الرمز

القيمة

الوحدة

نطاق درجة حرارة الوصلة أثناء التخزين

T_stg

-40~150

℃

مدى درجة حرارة الوصلة أثناء التشغيل

T_j

-40~125

℃

جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف (T_j=25℃)

V_DRM

800

V

جهد الذروة العكسي المتكرر (T_j=25℃)

V_RRM

800

V

تيار الحالة الموصلة RMS

IT(RMS)

2

A

أقصى تيار اندفاعي غير متكرر في حالة التوصيل (دورة كاملة، F=50Hz)

I_TSM

20

A

I²قيمة t للانصهار (t_p=10 مللي ثانية)

I2t

2

A2s

المعدل الحرج لارتفاع تيار حالة التوصيل(I_G=2×I_GT)

dI/dt

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

50

A/μs

Ⅳ

10

تيار البوابة الأقصى

I_GM

2

A

تبديد القدرة المتوسطة للبوابة

PG(AV)

0.5

واط

قدرة البوابة القصوى

P_GM

5

واط

المعلمة

ظروف الاختبار

الربع

القيمة

الوحدة

I_GT

V_D=12V, R_L=33Ω

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

MAX

10

mA

V_GT

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

1.3

V

V_GD

VD=VDRM

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

الحد الأدنى

0.2

V

I_ع

I_T=100mA

MAX

10

mA

I_L

I_G=1.2I_GT

Ⅰ-Ⅲ

MAX

10

mA

Ⅱ

15

dV/dt

V_D=0.66×V_DRM T_j=125℃

بوابة مفتوحة

الحد الأدنى

20

V/µs

الرمز

ظروف الاختبار

القيمة

الوحدة

V_TM

I_TM=3.5A t_p=380μs

T_j=25℃

MAX

1.5

V

I_DRM I_RRM

VDRM= VRRM

T_j=25℃

MAX

5

µA

T_j=125℃

0.5

mA