الصور المرئية للمنتج01 / المعرض
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
مكوّن قدرة
YZPST-FQP3P50
✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات
البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net
الهاتف+86 138 0527 8321
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
مركز المستندات
التنزيلات والملفات الفنية
FQP3P50 MOSFET
P/N: YZPST-FQP3P50
الوصف:
إن FQP3P50 هو ترانزستور MOSFET قدرة بنمط الاستنزاف مع قناة P
MOSFET.يُستخدم هذا الترانزستور MOSFET القدرة عادةً في
مزودات الطاقة ذات التبديل عالي السرعة، ومضخمات الصوت، والتحكم في محركات التيار المستمر
وتطبيقات مصادر الطاقة ذات التبديل المتغير.
الحدود المطلقة القصوى
| الرمز | المعلمة | القيمة | الوحدة | |
| VDSS | جهد المصرف-المصدر | -500 | V | |
| VGSS | جهد البوابة-المصدر | ±30 | V | |
| Tc=25℃ | -2.7 | A | ||
| ID | تيار المصرف المستمر | Tc= 100℃ | -1.71 | A |
| IDM | تيار المصرف النبضي | -10.8 | A | |
| Ptot | تبديد القدرة (TC=25°C) | TO-220C | 85 | واط |
| Tj | درجة حرارة الوصلة | 150 | ℃ | |
| Tstg | درجة حرارة التشغيل والتخزينerature | -205 | ℃ | |
| EAS | الانهيار الجليدي الطاقة | 250 | mJ | |
الخصائص الكهربائية (Tc = 25°C، ما لم يُذكر خلاف ذلك)
| الرمز | المعلمة | ظروف الاختبار | القيمة | الوحدة | ||
| الحد الأدنى | النوع | الحد الأقصى | ||||
| BVDSS | انهيار جهد المصرف-المصدرtage | VGS= 0V, ID- 250μA | -500 | V | ||
| VDS=-500V ,VGS=0V | -1 | uA | ||||
| IDSS | تسرب المصرف-المصدرالتيار | VDS=-400V,VGS=0V ， | -100 | uA | ||
| Tc=125℃ | ||||||
| IGSS | تسرب البوابة-المصدر التيار | VGS= ±30V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | جهد عتبة البوابة | VDS= VGS,ID= - 250uA | -3 | -5 | V | |
| RDS(ON) | حالة التوصيل الساكنة للمصرف-المصدر المقاومة | VGS= -10V ，ID= -1A | 5 | أوم | ||
| ∆BVDSS/ ∆TJ | درجة حرارة جهد الانهيارة معامل | ID = -250 µA, | 0.42 | V/℃ | ||
لا يتوفر أي محتوى إضافي للمنتج.
.jpg)
.jpg)
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
تابع YZPST
