الصور المرئية للمنتج01 / المعرض
مكوّن قدرة
YZPST-BD139-16
✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات
البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net
الهاتف+86 138 0527 8321
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
مركز المستندات
التنزيلات والملفات الفنية
ترانزستور سيليكون NPN رقم القطعة: YZPST-BD139-16
النوع المكمل PNP للترانزستور السيليكوني NPN BD139-16 هو BD140-16
الوصف
BD139-16 هو ترانزستور NPN سيليكوني مسطح ومطعَّم بالتطعيم المرحلي
في حزمة بلاستيكية Jedec TO-126، مصمم لمضخمات الصوت
وسواقات تستخدم التراكيب المكملة أو شبه
تكميلية.
الأنواع المكملة PNP هي BD140-16
الحدود القصوى المطلقة( Ta = 25 OC)
المعلمة | الرمز | القيمة | الوحدة |
جهد المجمع-القاعدة | VCBO | 80 | V |
جهد المجمع-الباعث | VCEO | 80 | V |
جهد الباعث-القاعدة | VEBO | 5.0 | V |
تيار المجمع | IC | 1.5 | A |
تيار القاعدة | IB | 0.5 | A |
القدرة الكلية عند | Ptot | 12.5 | واط |
أقصى درجة حرارة لوصلة التشغيل | Tj | 150 | oC |
درجة حرارة التخزين | Tstg | -55~150 | oC |
الخصائص الكهربائية( Ta = 25OC)
| المعلمة | الرمز | ظروف الاختبار | الحد الأدنى | النوعي | الحد الأقصى | الوحدة |
| تيار القطع للمجمّع | ICBO | VCB = 80V, IE = 0 | 10 | ميكروأمبير | ||
| — | — | |||||
| تيار القطع للباعث | IEBO | |||||
| VEB = 5.0V, IC = 0 | 10 | ميكروأمبير | ||||
| VCEO | ||||||
| جهد التحمل بين المجمّع والباعث | IC = 1.0mA, IB = 0 | 80 | — | — | V | |
| VCE = 2.0V, IC = 0.15A | 100 | 250 | ||||
| كسب التيار المستمر | hFE | |||||
| VCE = 2.0V, IC = 0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| جهد التشبع بين المجمّع والباعث | IC = 0.5A, IB = 0.05A | 0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| جهد القاعدة-الباعث | IC = 0.5A, VCE = 2.0V | 1 | V | |||
| fT | ||||||
| تردد الانتقال | VCE = 5V,IC = 50mA | 80 | MHz |
لا يتوفر أي محتوى إضافي للمنتج.
.jpg)
.webp)
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
تابع YZPST
