YZPST-FW26025A1 ترانزستور قدرة دارلنغتون سيليكوني PNP

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collecإلىr-Base Voltage

-100

V

VCEO

Collecإلىr-Emitملاحظةr Voltage

-100

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collecإلىr Current-C-ontinuous

-20

A

ICM

Collecإلىr Current-Peak

-40

A

IB

Base Current- C-ontinuous

-0.5

A

PC

Collecإلىr Power Dissipعندion

@TC=25℃

160

واط

Tj

Junction Temperature

200

℃

Tstg

Sإلىrage Temperعندure Rأنجe

-65~200

℃

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIOالأبعاد

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCEO(SUS)*

Collector-Emitter Sustعينing Voltage

IC= -100مA, IB= 0

-100

V

VCE(sعند)-1*

Collector-Emitter Sأتوration Voltage

IC= -10A ,IB= -40مA

-2.0

V

VCE(sعند)-2*

Collector-Emitter Sأتوration Voltage

IC= -20A ,IB= -200mA

-3.0

V

VBE(sعند)*

Base-Emitter Sأتوration Voltage

IC= -20A ,IB= -200mA

-4

V

V BE(on)*

Base-Emitter Oن Voltage

IC= -10A ; VCE= -3V

-2.8

V

ICEO

Collector Cالمخرجمنf current

VCE= -50V, IB= 0

-1

mA

ICEV

Collector Cالمخرجمنf current(VBE=-1.5V)

VCE= -100V, IB= 0

-0.5

mA

VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃

-5

IEBO

Emitter Cأوتوff Current

VEB= -5V; IC= 0

-2

mA

hFE-1*

تيار مستمر CurrentGآيn

IC= -2A ; VCE= -3V

5000

hFE-2*

تيار مستمر CurrentGآيn

IC= -10A ; VCE= -3V

750

18000

hFE-3*

تيار مستمر CurrentGآيn

IC= -30A ; VCE= -3V

200