الصور المرئية للمنتج01 / المعرض
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
مكوّن قدرة
YZPST-D100H065AT1S3
✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات
البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net
الهاتف+86 138 0527 8321
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
مركز المستندات
التنزيلات والملفات الفنية
تقنية الخندق IGBT بتقنية حجز المجال
YZPST-D100H065AT1S3
الميزات
650 فولت، 100 أمبير
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A
أقصى درجة حرارة للوصلة 175
طلاء أطراف خالٍ من الرصاص؛ متوافق مع RoHS
التطبيقات
محولات الطاقة الشمسية
مزود طاقة غير منقطع
محولات اللحام
محولات بتردد تبديل متوسط إلى عالٍ
المفتاح الأداء و Pالعبوة التقنية
رموز الطلب | VCE | IC | VCEsat, Tvj=25 | Tvjmax | الوسم | العبوة |
D100H065AT1S3 | 650V | 100A | 1.75V | 175 ℃ | D100H65AT1 | TO247-3L |
الحدّ الأقصى المطلق المطلقة
| الرمز | المعلمة | القيمة | الوحدة |
| VCES | جهد المجمع-الباعث | 650 | V |
| VGES | جهد البوابة-الباعث | ±20 | V |
| IC | تيار المجمع المستمر (TC=25 ℃) | 125 | A |
| تيار المجمع المستمر (TC=100 ℃) | 100 | A | |
| ICM | تيار المجمع النبضي (ملاحظة 1) | 200 | A |
| تيار التوصيل الأمامي للديود (TC=25 ℃) | 125 | A | |
| IF | تيار التوصيل الأمامي للديود (TC=100 ℃) | 100 | A |
| أقصى قدرة تبديد (TC=25 ℃) | 385 | واط | |
| PD | أقصى قدرة تبديد (TC=100 ℃) | 192 | واط |
| TJ | نطاق درجة حرارة وصلة التشغيل | -40 إلى 175 | ℃ |
| TSTG | نطاق درجة حرارة التخزين | -55 إلى 150 | ℃ |
الخصائص الكهربائية (Tc=25 ما لم يُذكر خلاف ذلك.)
| الرمز | المعلمة | الظروف | الحد الأدنى | النوعي | الحد الأقصى | الوحدة |
| BVCES | المجمّع-الباعث | VGE=0V، IC=200uA | 650 | V | ||
| جهد الانهيار | --- | --- | ||||
| ICES | تيار تسرب المجمع-الباعث | VCE=650V، VGE=0V | 1 | mA | ||
| --- | --- | |||||
| تيار تسرب البوابة، أمامي | VGE=20V، VCE=0V | 600 | nA | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | تيار تسرب البوابة، عكسي | VGE=-20V، VCE=0V | 600 | nA | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | جهد عتبة البوابة | VGE=VCE، IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | المجمّع-الباعث | VGE=15V، IC=100A، Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| جهد التشبع | VGE=15V، IC=100A، Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | زمن تأخير التشغيل | --- | 35 | --- | ns | |
| tr | زمن صعود التشغيل | VCC=400V | --- | 155 | --- | ns |
| td(off) | زمن تأخير الإيقاف | VGE=±15V | --- | 188 | --- | ns |
| tf | زمن هبوط الإطفاء | IC=100A | --- | 69 | --- | ns |
| Eon | فقد التبديل عند التشغيل | RG=8 | --- | 4.35 | --- | mJ |
| Eoff | فقد التبديل عند الإيقاف | حمل حثي | --- | 1.11 | --- | mJ |
| Ets | إجمالي خسائر التبديل | TC=25 ℃ | --- | 5.46 | --- | mJ |
| Cies | سعة الإدخال | VCE=25V | --- | 7435 | --- | بيكوفاراد |
| Coes | سعة الخرج | VGE=0V | --- | 237 | --- | بيكوفاراد |
| Cres | انتقال عكسي | f =1MHz | 128 | بيكوفاراد | ||
| السعة | --- | --- |
| الرمز | المعلمة | الظروف | الحد الأدنى | النوعي | الحد الأقصى | الوحدة |
| IF=100A، Tj=25 ℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | جهد التوصيل الأمامي للديود | IF=100A، Tj=150 ℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | زمن الاستعادة العكسية للديود | 201 | ns | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| IF=100A | ||||||
| Irr | الذروة العكسية للديود | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| تيار الاستعادة | TC=25 ℃ | --- | --- | |||
| Qrr | شحنة الاستعادة العكسية للديود | 2.45 | uC | |||
| --- | --- |
ملاحظة 1 قيمة متكررة، وعرض النبضة محدود بدرجة حرارة الوصلة القصوى
معلومات الحزمة
.jpg)
لا يتوفر أي محتوى إضافي للمنتج.
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
تابع YZPST
