YZPST-100HF120TK-G1
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
التنزيلات والملفات الفنية
وحدة IGBT YZPST-100HF120TK-G1
المزايا
قدرة عالية على تحمّل قصر الدائرة، مع تيار قصر محدود ذاتيًا
شريحة IGBT (تقنية Trench + Field Stop)
VCE(sat) بمعامل حرارة موجب، تبديل سريع، خسائر تحويل منخفضة
ثنائيات مرور حر مع استعادة عكسية سريعة وناعمة
التطبيقات
تطبيقات التبديل عالي التردد
محولات اللحام
التحكم في الحركة/المؤازرة
أنظمة UPS
الحدود القصوى المطلقة TC=25°C ما لم يُذكر خلاف ذلك
الرمز | المعلمة | ظروف الاختبار | القيم | الوحدة |
IGBT | ||||
VCES | جهد المجمع - الباعث | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES | جهد البوابة - الباعث |
| ±30 | V |
IC |
تيار المجمع المستمر | TC=25°C | 150 | A |
TC=80°C | 100 | A | ||
ICM | تيار المجمع القِمّي المتكرر | tp=1ms | 200 | A |
Pالإجمالي | قدرة التبديد لكل IGBT | 694 | واط | |
ديود | ||||
VRRM | الجهد العكسي المتكرر | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
متوسط تيار التوصيل الأمامي | TC=25°C | 150 | A |
TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM | تيار التوصيل الأمامي القِمّي المتكرر | tp=1ms | 200 | A |
الوحدة الخصائصTC=25°C ما لم يُذكر خلاف ذلك محدد
الرمز | المعلمة | ظروف الاختبار | الحد الأدنى | النوعي | الحد الأقصى | الوحدة |
TVj max | أقصى درجة حرارة للوصلة |
| 150 | °C | ||
TVj op | درجة حرارة التشغيل |
| -40 |
| 150 | °C |
Tstg | درجة حرارة التخزين |
| -40 | 125 | °C | |
Vعزل | جهد اختبار العزل | تيار متردد، t=1 دقيقة | 3000 | V | ||
عزم الشد | إلى المبدد الحراري | موصى به M6 | 3 |
| 5 | نيوتن·متر |
عزم الشد | إلى الطرف | مسمار M5 الموصى به | 2.5 |
| 5 | نيوتن·متر |
الوزن |
|
|
| 176 |
| g |
مخطط الدائرة
مخطط الأبعاد للحزمة
للمزيد من المعلومات حول YZPST-100HF120TK-G1يرجى تنزيل ملف PDF أعلاه بعنوان " YZPST-100HF120TK-G1 "
.jpg)
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
