YZPST-MT3-500-36-D

✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات

البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net

نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.

مركز المستندات

الميزات

· انتقال الحرارة عبر قاعدة معدنية معزولة من سيراميك نيتريد الألومنيومالمعادن النفيسة

· تلامسات ضغط من المعادن النفيسة لتحقيق موثوقية عالية

التطبيقات النموذجية

· التحكم بمحرك تيار مستمر

· التحكم في درجة الحرارة

· تعتيم الإضاءة الاحترافية

الحدود القصوى

الرمز	الشرط	المطلقة	الوحدة
I_T(AV)	أحادي الطور，نصف موجة，sinتوصيل 180°;T_C=85°C	500	A
I_{القيمة الفعالة}	أحادي الطور，نصف موجة，sinتوصيل 180°;T_C=85°C	785	A
I_TSM	T_j=125°C	18	kA
I²t	T_j=125°C	1620	kA²S
V_DRM/فولت_RRM	T_j=125°C	3600/3600	V
di/dt	غير متكرر	400	أمبير/ميكروثانية
V_iso	تيار متناوب لمدة دقيقة واحدة/1S	3000/3600	V
T_j		-40 ~ +125	°C
T_stg		-40 ~ +125	°C
واط	About	-	كg

لمزيد من المعلومات حول وحدة الثايرستور المزدوج، يُرجى تنزيل ملف PDF أعلاه بعنوان " YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts "

الرمز	الشرط	المطلقة	الوحدة
I_DRM /I_RRM	عند V_DRM，أحادي الطور，نصف موجة，T_j=125°م	250	mA
V_TM	تيار الحالة الموصلة1570A，T_j=25°C	1.85	V
V_T(TO)	T_j=125°C	1.10	V
r_T	T_j=125°C	0.40	ملي أوم
R_K1G1		-	أوم
R_K2G2		-	أوم
t_gd	T_j=25°C;V_D=0.4V_DRM; I_TM=I_TAV	3	us
t_q	dv_D/dt=50V/us;T_j=125°C; I_TM=I_TAV	400	us
I_GT/فولت_GT	T_j=25°C，I_T=1A，V_D=6V	300 / 2.5	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM	0.35	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_ع	T_j=25°C	300	mA
I_L	T_j=25°C	1500	mA
R_θj-c	المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة	0.025	°C/W
R_th(_c_-_h₎	المقاومة الحرارية العلبة إلى المبدد الحراري	0.008	°C/W