.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
التنزيلات والملفات الفنية
YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
وحدة IGBT بتيار 150A وجهد 1200V
الميزات
قدرة عالية على تحمّل قصر الدائرة، وتيار قصر محدود ذاتيًا
شريحة IGBT (تقنية Trench + Field Stop)
VCE(sat) بمعامل حراري موجب
تبديل سريع، وخسائر تبديل منخفضة
ديودات حرّة الدوران مع استعادة عكسية سريعة وناعمة
التطبيقات
تطبيقات التبديل عالي التردد
محولات اللحام
التحكم في الحركة/المؤازرة
أنظمة UPS
الحد الأقصى المطلق الحد الأقصى التصنيفات Tc=25ec ما لم يُذكر خلاف ذلك محدد
الرمز |
| المعلمة | ظروف الاختبار | القيم | الوحدة |
IGBT | |||||
VCES |
| المجمّع - جهد الباعث | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES |
| البوابة - جهد الباعث |
| ±30 | V |
IC |
| تيار المجمّع المستمر التيار | TC=25°C | 230 | A |
| TC=80°C | 150 | A | ||
ICM |
| متكرر تيار المجمّع الأقصى | tp=1ms | 200 | A |
Pالإجمالي |
| قدرة التبديد لكل IGBT |
| 694 | واط |
ديود | |||||
VRRM |
| متكرر الجهد العكسيtage | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
| المتوسط تيار أمامي | TC=25°C | 150 | A |
| TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM |
| متكرر الذروة تيار أمامي | tp=1ms | 200 | A |
الحزمة المخطط العام
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
