YZPST-1N5603
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
التنزيلات والملفات الفنية
عigh Voltage Silicon Assembly Series
YZPST-HVSS- 5KV/5.0A ركيزة سيليكون عالية الجهد
الميزات
يُستخدم مستوى تقنية الجمع بين نواة الأنبوب لإنتاج الأكثر تقدمًا.
تيار تسرب منخفض، واستهلاك منخفض للطاقة، ودرجة حرارة وصلة تشغيل من -40°م إلى +175°م.
مقاومة ممتازة للتيار اللحظي الكبير وخصائص الانهيار العكسي.
أداء أصلي في التوصيل الحراري، وتصميم فعّال لتبديد الحرارة.
تتوفر أشكال وأحجام متعددة للاختيار أو للتخصيص.
يُستخدم في الدائرة في التقويم عالي الجهد، والعزل، والحماية.
DEVICE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25℃ambienttemperaturـunless stated otherwise) | CONDITIOالأبعاد | SYMBOL | 5كV/5.0A |
ماximum Repeتيتيve Peak Reveترانزستوراتe Voltage | VRRM | 5كV | |
Peak Reverse واطأوking Voltage | VRواطM | 5كV | |
Aveرأge Forward النحاسrreار Maximum | IO | 5.0A | |
ماximum Surge النحاسrreار Rating | IFSM | 150A | |
ماximum Forward Voلتage Drop | @5A | VFM | 6.0V |
Peak Reverse Current | @25℃ | IRRM | 5.0uA |
ماximum Junction Temperature | TJ | 150℃ | |
Sإلىrage Temperature Range | Tstg | -40~+150℃ |
يمكن لـ YZPST توفير قائمة المعادلات التالية لـ ثنائيات الجهد العالي.
ثنائيات الجهد العالي
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
ثنائي الجهد العالي عالي التردد
2CL G 20mA 20KV 80ns
04D، 04Z (10mA 4000V، 80ns)
08D، 08X، 08Z (10mA 8000V، 80ns)
PST-12 (10mA 12000V، 80ns)
PST-14 (10mA 12000V، 80ns)
PST-16 (10mA 12000V، 80ns)
HV37-08 (200mA 8KV 80ns)
HV37-08F (200mA 8KV 70ns)
HV37-10 (200mA 10KV 80ns)
HV37-20 (200mA 20KV 80ns)
HV37-20F (200mA 20KV 70ns)
CL03-10F (300mA 10KV 80ns)
FOB (450mA 8KV 40ns)
FOB-12 (450mA 12KV 40ns)
رصّة سيليكون عالية الجهد
(20mA-10A، 30KV-500KV)
-3.jpg)
.jpg)
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
