YZPST-BTA60

الرمز

القيمة

الوحدة

IT(RMS)

60

A

VDRMVRRM

1200/1600

V

V_TM

1.55

V

المعلمة

الرمز

القيمة

الوحدة

نطاق درجة حرارة الوصلة أثناء التخزين

Tstg

-40 ~150

℃

مدى درجة حرارة الوصلة أثناء التشغيل

Tj

-40~125

℃

الجهد الأقصى المتكرر في حالة الحجب (T =25℃)

V_DRM

1200/1600

V

الجهد العكسي الأقصى المتكرر (T =25℃)

V_RRM

1200/1600

V

تيار الحالة الموصلة RMS

IT(RMS)

60

A

أقصى تيار اندفاعي غير متكرر في حالة التوصيل (دورة كاملة، F=50Hz)

I_TSM

500

A

I2قيمة t للانصهار (tp=10ms)

I2t

1250

A2S

المعدل الحرج لارتفاع تيار الحالة الموصلة

(I = 2×I_GT)

dI/dt

50

A/ميكروثانية

تيار البوابة الأقصى

I_GM

8

A

تبديد القدرة المتوسطة للبوابة

PG(AV)

1

واط

الرمز

ظروف الاختبار

الربع

القيمة

الوحدة

I_GT

V =12V R =33Ω

Ⅰ Ⅱ Ⅲ

الحد الأقصى

50

mA

V_GT

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

الحد الأقصى

1.3

V

V_GD

V_D=V_DRMTj=125℃ R=3.3KΩ

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

الحد الأدنى

0.2

V

I_L

I_G=1.2I_GT

Ⅰ-Ⅲ

الحد الأقصى

80

mA

II

180

I_ع

I_T=100mA

الحد الأقصى

80

mA

dV/dt

V_D=2/3V_DRM البوابة مفتوحة Tj=125℃

الحد الأدنى

1000

V/μs

الرمز

المعلمة

القيمة(الحد الأقصى)

الوحدة

V_TM

I_TM=80A tp=380μs

Tj =25℃

1.65

V

I_DRM

VD=VDRMVR=VRRM

Tj =25℃

10

ميكروأمبير

I_RRM

Tj =125℃

5

mA

الرمز

المعلمة

القيمة

الوحدة

Rth(j-a)

من الوصلة إلى الوسط المحيط

50

℃/W

Rth(j-c)

من الوصلة إلى العلبة (AC)

0.8