65R72GF ترانزستور MOSFET قدرة بقناة N كبديل لـ STW48N60M2

✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات

البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net

نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.

مركز المستندات

ترانزستور MOSFET قدرة بقناة N

النوع: YZPST-65R72GF

الميزات
ترانزستور MOSFET مع دايود جسم سريع
|D=47A(Vgs=10V)
شحنة بوابة منخفضة للغاية
قدرة محسّنة على dv/dt
متوافق مع RoHS
YZPST-65R72GF Power MOSFET

التطبيقات

مزودات الطاقة ذات نمط التبديل (SMPS)
مزودات طاقة الخوادم والاتصالات
أجهزة اللحام وشواحن البطاريات
الطاقة الشمسية (عاكسات PV)
دوائر جسر AC/DC

الحدود القصوى المطلقة (Tc=25o°C، ما لم يُذكر خلاف ذلك)
المعلمة	الرمز	الحد	الوحدة
جهد المصرف إلى المصدر	Vdss	650	V
تيار المصرف المستمر (@Tc=25°C)	Id	47⑴	A
تيار المصرف المستمر (@Tc=100°C)	Id	29⑴	A
تيار المصرف النبضي(2)	Idm	138⑴	A
جهد البوابة إلى المصدر	Vgs	±30	V
طاقة الانهيار النبضي المفرد(3)	EAS	1500	mJ
مقاومة MOSFET لتحمّل dv/dt (@Vورقة البيانات=0~400V)	dv/dt	25	V/ns
أقصى dv/dt لاستعادة الدايود	dv/dt	15	V/ns
إجمالي تبديد القدرة (@Tc=25°C)	Pd	417	W
عامل التخفيض فوق 25°C	Pd	3.34	W/°C
درجة حرارة الوصلة أثناء التشغيل ودرجة حرارة التخزين	Tstg, Tj	-55 إلى +150	°C
أقصى درجة حرارة للأطراف أثناء اللحام	Tl	260	°C

ملاحظات

1. يحدّ الحد الأقصى لدرجة حرارة الوصلة من تيار المصرف.

2. التصنيف التكراري: عرض النبضة محدود بدرجة حرارة الوصلة.

3. L = 37mH، I_AS= 9A، V_DD= 50V، R_G=25Ω، بدءًا من Tj = 25°C

4. I_SD< I_D, di/dt = WOA/μs، V_DD< BV_DSS، بدءًا من Tj =25°C

لمزيد من المعلومات حولYZPST-65R72GFيرجى تنزيل ملف PDF أعلاه باسم "YZPST-65R72GF"

لا يتوفر أي محتوى إضافي للمنتج.

المنتجات ذات الصلة