الصور المرئية للمنتج01 / المعرض
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
2.jpg)
مكوّن قدرة
YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
✓المعلومات الفنية للمنتج✓دعم اختيار موجه للتطبيق✓استفسار عبر الكتالوج والمتطلبات
البريد الإلكترونيinfo@yzpst.net
الهاتف+86 138 0527 8321
نصيحة: أدرج رقم القطعة، والجهد/التيار المستهدف، وبيئة التطبيق.
مركز المستندات
التنزيلات والملفات الفنية
وحدة IGBT بجهد 1200V وتيار 100A رقم القطعة:YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
الميزات:
1200V 100A، VCE(sat)(نموذجي)=3.0V تصميم منخفض الحث
خسائر أقل وطاقة أعلى
سرعة تبديل فائقة السرعة
مقاومة ممتازة لقصر الدائرة
التطبيقات العامة:
العاكس المساعد
التسخين الحثي واللحام
أنظمة UPS
القيم المطلقة القصوى لـ IGBT
| VCES | جهد المجمع إلى الباعث | 1200 | V | |
| VGES | جهد البوابة إلى الباعث المستمر | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | تيار المجمع المستمر | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | تيار المجمع النبضي | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | القدرة القصوى المبددة (IGBT) | TC = 25°C، | 430 | واط |
| tsc | > 10 | µs | ||
| زمن تحمل القصر | ||||
| أقصى درجة حرارة الوصلة لـ IGBT | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية القصوى | -40 إلى +150 | °C | ||
| Tstg | نطاق درجة حرارة التخزين | -40 إلى +125 | °C | |
| VRRM | الجهد العكسي الأقصى المتكرر بيانات أولية | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | تيار التوصيل الأمامي المستمر للديود | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | أقصى تيار أمامي للدايود | 200 | A | |
القيم المطلقة القصوى لدايود التدوير الحر
| VRRM | الجهد العكسي الأقصى التكراري للذروة — بيانات أولية | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | تيار التوصيل الأمامي المستمر للديود | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | أقصى تيار أمامي للدايود | 200 | A | |
خصائص التبديللـ IGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| زمن تأخير التشغيل | ns | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | زمن صعود التشغيل | TJ = 125°C | 55 | ns | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | زمن تأخير الإيقاف | TJ = 125°C | 390 | ns | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | زمن الانخفاض عند الإيقاف | TJ = 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | فقد التبديل عند التشغيل | IC = 100A | TJ = 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5.6Ω | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | فقد التبديل عند الإيقاف | VGE = ±15V | TJ = 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | الشحنة الكلية للبوابة | حمل حثي | TJ = 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | مقاومة بوابة مدمجة | f = 1M; | TJ = 25°C | 1.9 | أوم | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | سعة الإدخال | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | سعة الخرج | VGE = 0V | TJ = 25°C | 1.35 | nF | ||
| Cres | انتقال عكسي | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0.81 | |||
| السعة | |||||||
| RθJC | المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى العلبة (IGBT) | 0.29 | °C/W | ||||
العبوة الأبعاد
.jpg)
لا يتوفر أي محتوى إضافي للمنتج.
.jpg)
.jpg)
.jpg)
أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية، ومكوّنات الحماية، وحلول الطاقة الصناعية.
تابع YZPST
