YZPST-300HF120TK-G2

YZPST-300HF120TK-G2

وحدة IGBT بقدرة 300 أمبير و1200 فولت

الميزات
قدرة عالية على تحمّل قصر الدائرة، مع تيار قصر ذاتي التحديد
شريحة IGBT (تقنية Trench+ Field Stop)
VCE(sat) بمعامل حراري موجب
تبديل سريع وتيار ذيل قصير، مع خسائر تبديل منخفضة
ثنائيات التمرير الحر مع استعادة عكسية سريعة وناعمة
يتضمن استشعار درجة الحرارة
التطبيقات
تطبيقات التبديل عالي التردد
التطبيقات الطبية
التحكم في الحركة/المؤازرة
أنظمة UPS

الحد الأقصى المطلق القيَم TC=25°C ما لم يُذكر خلاف ذلك محدد

الرمز	المعلمة	ظروف الاختبار	القيم	الوحدة
IGBT
VCES	جهد المجمع - الباعث	TVj=25°C	1250	V
VGES	جهد البوابة - الباعث		±30	V
IC	تيار المجمع المستمر	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
ICM	تيار المجمع القِمّي المتكرر	tp=1ms	600	A
Pالإجمالي	قدرة التبديد لكل IGBT		2083	واط
ديود
VRRM	الجهد العكسي المتكرر	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	متوسط تيار التوصيل الأمامي	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
IFRM	تيار التوصيل الأمامي القِمّي المتكرر	tp=1ms	600	A

الخصائص الكهربائية والحراريةTC=25°م ما لم يُذكر خلاف ذلك

الرمز	المعلمة	ظروف الاختبار			الحد الأدنى	النوعي	الحد الأقصى	الوحدة
IGBT
VGE(th)	البوابة - الباعث العتبة الجهد	VCE=VGE, IC=2.0mA			5.0		6.8	V
VCE(sat)	المجمع - الباعث	IC=300A, VGE=15V, TVj=25°C				2.2	2.6	V
	جهد التشبع	IC=300A, VGE=15V, TVj=125°م				2.65		V
ICES	تيار تسرب المجمع	VCE=1250V, VGE=0V, TVj=25°C					1	mA
		VCE=1250V, VGE=0V, TVj=125°م					5	mA
Rgint	مقاومة بوابة مدمجة	لكل مفتاح				5		أوم
IGES	تيار تسرب البوابة	VCE=0 فولت، VGE±15 فولت، TVj=125°م			-500		500	nA
Cies	سعة الإدخال	VCE=25 فولت، VGE=0 فولت، f =1 ميغاهرتز				21.3		nF
Cres	سعة النقل العكسي					1.42		nF
td(on)	زمن تأخير التشغيل	VCC=600 فولت، IC=300A,		TVj=25°C		393		ns
		RG =3.3أوم,		TVj=125°م		395		ns
tr	زمن الارتفاع	VGE=±15V,		TVj=25°C		130		ns
		حمل حثّي		TVj=125°م		135		ns
td(off)	زمن تأخير الإيقاف	VCC=600 فولت، IC=300A,		TVj=25°C		570		ns
		RG =3.3أوم,		TVj=125°م		600		ns
tf	زمن الانخفاض	VGE=±15V,		TVj=25°C		145		ns
		حمل حثّي		TVj=125°م		155		ns
Eon	طاقة التشغيل	VCC=600 فولت، IC=300A,		TVj=25°C		7.7		mJ
		RG =3.3أوم,		TVj=125°م		14.5		mJ
Eإيقاف	طاقة الإيقاف	VGE=±15V,		TVj=25°C		26.3		mJ
		حمل حثّي		TVj=125°م		33.5		mJ
ISC	تيار القصر	tpsc≤10 ميكروثانية، VGE=15 فولت TVj=125°م، VCC=900V				2100		A
RthJC	المقاومة الحرارية من الوصلة إلى الغلاف(لكل IGBT)						0.07	كلفن/واط
ديود
VF	جهد أمامي	IF=300 أمبير، VGE=0V, TVj=25°C				1.82	2.25	V
		IF=300 أمبير، VGE=0V, TVj=125°م				2.0		V
Qrr	شحنة عكسية	IF=300 أمبير، VR=600V				40		uC
IRRM	أقصى تيار استرداد عكسي	diF/dt=-2360A/μs				250		A
Eاسترداد	طاقة الاستعادة العكسية	TVj=125°م				18.5		mJ
RthJCD	المقاومة الحرارية من الوصلة إلى الغلاف		(لكل ديود)				0.12	كلفن/واط

مخطط الأبعاد للحزمة

لمزيد من المعلومات حولYZPST-300HF120TK-G2يرجى تنزيل ملف PDF أعلاه باسم "YZPST-300HF120TK-G2"