
الترانزستورات ثنائية القطبية ذات البوابة المعزولة (IGBTs)
أشباه الموصلات الأجهزة – المنفصلة الأجهزة –
الجزء 9: ترانزستورات ثنائية القطب الترانزستورات(IGBTs)
أجهزة من أشباه الموصلات – أجهزةالمنفصلة –
الجزء 9: ترانزستورات ثنائية القطب من بوابة معزولة(IGBT)
SEMICONDUCTOR DEVICE–DISCRETE DEVICES –
Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs)
مقدمة
1) اللجنة الكهرتقنية الدولية (IEC) هي منظمة عالمية للتوحيد القياسي تضم جميع اللجان الوطنية الكهرتقنية (اللجان الوطنية التابعة لـ IEC). وتهدف IEC إلى تعزيز التعاون الدولي في جميع المسائل المتعلقة بالتوحيد القياسي في المجالات الكهربائية والإلكترونية. وتحقيقًا لهذه الغاية، وإضافةً إلى أنشطتها الأخرى، تنشر IEC المعايير الدولية، والمواصفات الفنية، والتقارير الفنية، والمواصفات المتاحة للعامة (PAS)، والأدلة (ويُشار إليها فيما بعد باسم منشورات IEC). وتُعهد عملية إعدادها إلى اللجان الفنية؛ ويجوز لأي لجنة وطنية تابعة لـ IEC مهتمة بالموضوع قيد البحث أن تشارك في هذا العمل التحضيري. كما تشارك في هذا الإعداد المنظمات الدولية والحكومية وغير الحكومية التي ترتبط بعلاقات مع IEC. وتتعاون IEC تعاونًا وثيقًا مع المنظمة الدولية للتوحيد القياسي (ISO) وفقًا للشروط التي تحددها الاتفاقية بين المنظمتين.
2) إن القرارات أو الاتفاقات الرسمية التي تعتمدها IEC بشأن المسائل الفنية تعبّر، قدر الإمكان، عن توافق دولي في الآراء حول الموضوعات ذات الصلة، نظرًا إلى أن كل لجنة فنية ممثَّلة من جميع اللجان الوطنية التابعة لـ IEC ذات الاهتمام.
3) تتخذ منشورات IEC شكل توصيات للاستخدام الدولي، وتقبلها اللجان الوطنية التابعة لـ IEC بهذا المعنى. ومع بذل كل الجهود المعقولة لضمان دقة المحتوى الفني لمنشورات IEC، لا تتحمل IEC المسؤولية عن الطريقة التي تُستخدم بها هذه المنشورات أو عن أي سوء تفسير من أي مستخدم نهائي.
4) من أجل تعزيز الاتساق الدولي، تتعهد اللجان الوطنية التابعة لـ IEC بتطبيق منشورات IEC بشفافية وبأكبر قدر ممكن في منشوراتها الوطنية والإقليمية. ويجب أن يُشار بوضوح في المنشور الوطني أو الإقليمي المقابل إلى أي اختلاف بين أي منشور من منشورات IEC والمنشور الوطني أو الإقليمي المقابل له.
5) لا توفر IEC أي إجراء للوسم يدل على موافقتها، ولا يمكن تحميلها المسؤولية عن أي معدات يُصرَّح بأنها مطابقة لأي منشور من منشورات IEC.
6) ينبغي لجميع المستخدمين التأكد من أنهم يملكون أحدث طبعة من هذا المنشور.
7) لا تتحمل IEC أو مديروها أو موظفوها أو خدمها أو وكلاؤها، بمن فيهم الخبراء الأفراد وأعضاء لجانها الفنية واللجان الوطنية التابعة لـ IEC، أي مسؤولية عن أي إصابة شخصية أو تلف في الممتلكات أو أي ضرر آخر مهما كان نوعه، سواء كان مباشرًا أم غير مباشر، أو عن التكاليف (بما في ذلك الأتعاب القانونية) والمصاريف الناشئة عن نشر هذا المنشور من منشورات IEC أو استخدامه أو الاعتماد عليه، أو عن أي منشورات أخرى من منشورات IEC.
8) يُلفَت الانتباه إلى المراجع المعيارية المذكورة في هذا المنشور. إن استخدام المنشورات المشار إليها لا غنى عنه للتطبيق الصحيح لهذا المنشور.
9) يُلفَت الانتباه إلى احتمال أن يكون بعض عناصر هذا المنشور من منشورات IEC خاضعًا لحقوق براءة اختراع. ولا تتحمل IEC مسؤولية تحديد أي من هذه الحقوق أو كلها.
تم إعداد المعيار الدولي IEC 60747-9 بواسطة اللجنة الفرعية 47E: أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة، التابعة للجنة الفنية 47 في IEC: أجهزة أشباه الموصلات.
هذه الطبعة الثانية من IEC 60747-9 تلغي وتحل محل الطبعة الأولى (1998) وتعديلها 1 (2001).
ترد أدناه التغييرات الرئيسية مقارنة بالطبعة السابقة.
a) جرى تعديل البند 3 بإضافة المصطلحات التي ينبغي إدراجها.
b) جرى تعديل البندين 4 و5 بإضافات وحذوفات مناسبة ينبغي إدراجها.
c) جُمعت البنود 6 و7 في التعديل 1 ضمن البند 6 مع إضافات وتصحيحات مناسبة ينبغي إدراجها.
د) أُعيد ترقيم البند 8 في التعديل 1 ليصبح البند 7. ويُقرأ هذا المعيار بالاقتران مع IEC 60747-1.
نص هذا المعيار مستند إلى الوثائق التالية:
FDIS | Report on voting |
47E/333/FDIS | 47E/341/RVD |
يمكن العثور على المعلومات الكاملة بشأن التصويت على اعتماد هذا المعيار في تقرير التصويت المشار إليه في الجدول أعلاه.
أُعدّ هذا المنشور وفقًا لتوجيهات ISO/IEC، الجزء 2.
قائمة بجميع أجزاء سلسلة IEC 600747، تحت العنوان العام:Semiconductor devices – Discrete devices، يمكن العثور عليها على موقع IEC الإلكتروني.
قررت اللجنة أن يظل محتوى هذا المنشور دون تغيير حتى تاريخ نتيجة الصيانة المشار إليه على موقع IEC الإلكتروني تحت "http://webstore.iec.ch" في البيانات المتعلقة بالمنشور المحدد. وفي هذا التاريخ، سيُ
• أُعيد تأكيده،
• سُحب،
• استُبدل بطبعة منقحة، أو
• عُدِّل.
SEMICONDUCTORDEVICES –
DISCRETEDEVICES –
Part 9: Insulated-gate bipolartransistors (IGBTs)
1 Sالنطاق
يقدّم هذا الجزء من IEC 60747 معايير خاصة بالمنتج للمصطلحات والرموز الحرفية والتصنيفات والخصائص الأساسية والتحقق من التصنيفات وطرق القياس للترانزستورات ثنائية القطب ذات البوابة المعزولة (IGBTs).
2 Normative references
الوثائق المرجعية التالية لا غنى عنها لتطبيق هذا المستند. وبالنسبة إلى المراجع المؤرخة، لا تنطبق إلا الطبعة المشار إليها. وبالنسبة إلى المراجع غير المؤرخة، تنطبق أحدث طبعة من الوثيقة المرجعية (بما في ذلك أي تعديلات).
IEC 60747-1:2006،Semiconductor devices – Part 1:General
IEC 60747-2،Semiconductor devices – Discretedevices و intمثلrated circuits – Part 2: Rectifierdiodes
IEC 60747-6، Semiconductor devices – Part 6:Thyristors
IEC 61340 (جميع الأجزاء)، Electrostatics
3 Terms و definitions
لأغراض هذه الوثيقة، تنطبق المصطلحات والتعريفات الآتية.
3.1 Graphical symbol of IGBT
يُستخدم الرمز البياني الموضح أدناه في هذه الطبعة من IEC 60747-9.
الرمز البياني
ملاحظة: يُستخدم في هذه المواصفة الرمز البياني فقط لـ IGBT من القناة N. وينطبق ذلك أيضاً على قياس الأجهزة ذات القناة P. وفي حالة الأجهزة ذات القناة P يجب تكييف القطبية.
3.2 General terms
3.2.1
insulated-gate bipolar transistor
IGBT
ترانزستور له قناة توصيل وصل PN. ويتم التحكم في التيار المار عبر القناة والوصلة بواسطة مجال كهربائي ناتج عن جهد مطبق بين طرفي البوابة والباعث
انظر IEV 521-04-05.
ملاحظة: مع تطبيق جهد بين المجمع والباعث، تكون وصلة PN في حالة انحياز أمامي.
3.2.2
N-channel IGBT
IGBT يحتوي على قناة توصيل واحدة أو أكثر من النوع N
انظر IEV 521-05-06.
3.2.3
P-channel IGBT
IGBT يحتوي على قناة توصيل واحدة أو أكثر من النوع P
انظر IEV 521-04-05.
3.2.4
collector current (of an IGBT)
Ic
تيار مستمر يتم تبديله (التحكم فيه) بواسطة IGBT
3.2.5
collector terminaل، collector (of an IGBT)
C
في حالة IGBT من القناة N (القناة P)، الطرف الذي يتدفق إليه (منه) تيار المجمع من الدائرة الخارجية
انظر IEV 521-07-05 و IEV 521-05-02.
3.2.6
emitter terminaل، emitter (of an IGBT)
E
في حالة IGBT من القناة N (القناة P)، الطرف الذي يتدفق منه (إليه) تيار المجمع إلى (من) الدائرة الخارجية
انظر IEV 521-07-04.
3.2.7
gate terminaل، gate (of an IGBT)
G
الطرف الذي يُطبَّق عليه جهد بالنسبة إلى طرف الباعث من أجل التحكم في تيار المجمع
انظر IEV 521-07-09.
3.3 Terms related to ratings and characteristics; voltagesand currents
3.3.1
collector-emitter (d.c.) voltage
الجهد بين المجمع والباعث
3.3.2
collector-emitter voltage with gate-emitter short-circuited
VCES
جهد بين المجمع والباعث تكون عنده قيمة تيار المجمع منخفضة محددة (مطلقة) مع قصر البوابة على الباعث
3.3.3
collector-emitter sustaining voltage
VCE*sus
جهد الانهيار بين المجمع والباعث عند قيم مرتفعة نسبيًا من تيار المجمع، حيث يكون جهد الانهيار غير حساس نسبيًا للتغيرات في تيار المجمع، مع وصلة محددة بين طرفي البوابة والباعث
ملاحظة 1 تُشار الوصلة المحددة بين طرفي البوابة والباعث في الرمز الحرفي بالرمز الفرعي الثالث `*`؛ انظر 4.1.2 من IEC 60747-7.
ملاحظة 2 عند الحاجة، تُضاف صفة مناسبة إلى المصطلح الأساسي للدلالة على وصلة محددة بين طرفي البوابة والباعث.
مثال: جهد الاستدامة بين المجمع والباعث مع قصر طرفي البوابة والباعثVCESsus . ملاحظة 3 قد يُختصر المصطلح الأساسي إذا كان المعنى واضحًا من الرمز الحرفي المستخدم. مثال: جهد الاستدامة بين المجمع والباعثVCERsus .
ملاحظة 4 هذا المصطلح مهم للأجهزة عالية الجهد، مثلًا أكثر من 4 كيلوفولت.
3.3.4
collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CES
جهد بين المجمع والباعث يزداد فوقه تيار المجمع بشدة، مع قصر البوابة على الباعث
انظر IEV 521-05-06.
3.3.5
collector-emittersaturation voltage
VCEsat
3.3.6
gate-emitter (d.c.) voltage
جهد بين البوابة والباعث
3.3.7
gate-collector (d.c.) voltage
جهد بين البوابة والمجمع
3.3.8
gate-emitter threshold voltage
VGE(th)
جهد بين البوابة والباعث تكون عنده قيمة تيار المجمع منخفضة محددة (مطلقة)
3.3.9
electrostatic discharge voltage
الجهد الذي يمكن تطبيقه على طرف البوابة دون تدمير طبقة العزل
انظر IEV 521-05-27
3.3.10
collector cut-off current
تيار المجمع عند جهد محدد بين المجمع والباعث أسفل منطقة الانهيار ومع إطفاء البوابة
3.3.11
collector current
التيار عبر المجمع
3.3.12
tail current
ICZ
تيار المجمع أثناء زمن الذيل
3.3.13
gate leakage current
IGES
تيار التسرب إلى طرف البوابة عند جهد محدد بين البوابة والباعث مع قصر طرف المجمع إلى طرف الباعث
3.3.14
safe operating area
SOA
تيار المجمع مقابل جهد المجمع-الباعث حيث يمكن للـ IGBT أن يعمل تشغيلًا وإيقافًا دون فشل
3.3.14.1
forward bias safe operating area
FBSOA
تيار المجمع مقابل جهد المجمع-الباعث حيث يمكن للـ IGBT أن يدخل في حالة التشغيل ويبقى فيها دون فشل
3.3.14.2
reverse bias safe operating area
RBSOA
تيار المجمع مقابل جهد المجمع-الباعث، حيث يستطيع IGBT الإيقاف دون فشل
3.3.14.3
short circuit safe operating area
SCSOA
مدة القصر وجهد المجمع-الباعث، حيث يستطيع IGBT التشغيل والإيقاف دون فشل
3.4 Terms related to ratings and characteristics; othercharacteristics
3.4.1
input capacitance
Cies
3.4.2
output capacitance
Coes
السعة بين端ي المجمع والباعث مع قصر端ي البوابة والباعث للتيار المتناوب
3.4.3
reverse transfer capacitance
Cres
السعة بين端ي المجمع والبوابة
3.4.4
gate charge
QG
الشحنة المطلوبة لرفع جهد البوابة-الباعث من مستوى منخفض محدد إلى مستوى مرتفع محدد
3.4.5
internal gate resistance
rg
المقاومة التسلسلية الداخلية
3.4.6
turn-on energy (per pulse)
Eon
الطاقة المتبددة داخل IGBT أثناء التشغيل لنبضة واحدة من تيار المجمع
ملاحظة: تُستحصل القدرة المتبددة المقابلة أثناء التشغيل في ظروف النبضات الدورية بضربEon
بتردد النبضة.
3.4.7
turn-off energy (per pulse)
Eoff
الطاقة المتبددة داخل IGBT أثناء زمن الإطفاء إضافة إلى زمن الذيل لنبضة واحدة من تيار المجمع
ملاحظة: تُستحصل القدرة المتبددة المقابلة أثناء الإطفاء في ظروف النبضات الدورية بضربEoff
بتردد النبضة.
3.4.8
turn-on delay time
td(on) , td
ملاحظة: عادةً، يُقاس الزمن بين النقاط المقابلة لـ 10% من سعتَي نبضة الدخل والخرج
.
3.4.9
rise time
tr
الفاصل الزمني بين اللحظتين اللتين يصل فيهما ارتفاع تيار المجمع إلى الحدين الأدنى والأعلى المحددين، على التوالي، عند تحويل IGBT من حالة الإيقاف إلى حالة التشغيل
ملاحظة: عادةً يكون الحدّان الأدنى والأعلى 10% و90% من سعة النبضة.
3.4.10
turn-on time
ton
مجموع زمن تأخير التشغيل وزمن الارتفاع
3.4.11
turn-off delay time
td(off) , ts
الفاصل الزمني بين نهاية نبضة الجهد عبر أطراف الدخل التي أبقت IGBT في حالة التشغيل وبداية هبوط تيار المجمع عند تحويل IGBT من حالة التشغيل إلى حالة الإيقاف
ملاحظة: عادةً يُقاس الزمن بين النقاط المقابلة لـ 90% من سعتَي نبضة الدخل والخرج.
3.4.12
fall time
tf
الفاصل الزمني بين اللحظتين اللتين يصل فيهما هبوط تيار المجمع إلى الحدين الأعلى والأدنى المحددين، على التوالي، عند تحويل IGBT من حالة التشغيل إلى حالة الإيقاف
ملاحظة: عادةً يكون الحدّان الأعلى والأدنى 90% و10% من سعة النبضة.
3.4.13
turn-off time
toff
مجموع زمن تأخير الإطفاء وزمن الهبوط
3.4.14
tail time
tz
الفاصل الزمني من نهاية زمن الإطفاء إلى اللحظة التي يصل فيها تيار المجمع إلى 2% أو أقل من القيمة المحددة
4 Letter symbols
4.1 General
تُعرَّف الرموز الحرفية العامة لـ IGBT في البند 4 من IEC 60747-1.
4.2 Additional general subscripts
C,c: المجمع
E,e: الباعث
G,g البوابة
sat التشبع
th العتبة
Z,z الذيل
S إنهاء بقصر كهربائي
R إنهاء بمقاومة
X إنهاء بجهد بوابة-باعث محدد
sus الاستمرار
4.3 List of letter symbols
Name وdesignation | Lettersymbol |
4.3.1 Voltages | |
Collector-emitter voltage | VCE |
Collector-emitter voltage, gate-emitter short-circuited | VCES |
Collector-emitter sustaining voltage | VCE*sus |
Collector-emitter breakdown voltage,gate-emitter short-circuited | V(BR)CES |
Collector-emitter saturation voltage | VCEsat |
Gate-emitter voltage | VGE |
Gate-emitter voltage, collector-emitter short-circuited | VGES |
Gate-emitter threshold voltage | VGE(th) |
Collector-gate voltage, gate-emitter resistance specified | VCGR |
4.3.2 Currents | |
Collector current | IC |
Peak collector current | ICM |
Repetitive peak collector current | ICRM |
Collector-emitter cut-off current, gate-emitter short-circuited | ICES |
Tail current | ICZ |
Gate current | IG |
Gate leakage current, collector-emittershort-circuited | IGES |
4.3.3 Other electrical magnitudes | |
Input capacitance | Cies |
Output capacitance |
|
Reversetransfer capacitance |
|
Gate charge | QG |
Internal gate resistance | rg |
Turn-on power dissipation |
|
Turn-on energy |
|
Turn-off power dissipation | Poff |
Turn-off energy | Eoff |
Conducting state power dissipation | Pcond |
Conducting state energy | Econd |
Total power dissipation | Ptot |
4.3.4 Time | |
Tailtime | tz |
4.3.5 Thermal magnitudes | |
Thermal resistance junction toheatsink | Rth(j-c) |
Transient thermal impedance junctionto heatsink | Zth(j-c) |
تابع القراءة
.webp)
تتمنى لكم YZPST عيد قوارب تنين صحيًا، وأن تمرّ كل سنة بسلاسة، وأن يسير كل شيء على ما يرام!🌿🌿🌿
.jpg)
معرض Global Sources Indonesia (الإلكترونيات وأسلوب الحياة)

قصر الدائرة في IGBT داخل النظام وحمايته

اعتبارات التصميم المتوازي لوحدة IGBT

مزايا استخدام تصميم IPM وما يجب مراعاته عند الاختيار

عيد العمال السعيد!

مشروع بنك مكثفات قدرة بقيمة ملايين الدولارات من YZPST
معرض الصين للمصادر في هونغ كونغ

معرض هونغ كونغ التجاري

زيارة الرئيس التنفيذي للتكنولوجيا في Electrotherm

معرض باكستان الدولي للتجارة

معرض إيران التجاري
من رقم القطعة إلى متطلبات الطاقة الكاملة.
© 2026 YZPST. جميع الحقوق محفوظة.
نستخدم ملفات تعريف الارتباط الضرورية لتشغيل هذا الموقع. وبإذنكم، تساعدنا ملفات تعريف الارتباط التحليلية على فهم استخدام الموقع. اقرأوا سياسة ملفات تعريف الارتباط.
